Schnellschaltthyristor

Beschreibung:

Schnellschaltender Thyristor mit der gleichen Struktur und dem gleichen Symbol wie der Phasensteuerungsthyristor, während die besseren statischen Eigenschaften, insbesondere dynamischen Eigenschaften, durch die Hochfrequenzanwendung von Gleichrichtung, Zerhackung, Wechselrichter und Frequenzumwandlungsschaltung erforderlich sind.Die dynamischen Parameter des schnellen Thyristors sind eine schnelle Einschaltgeschwindigkeit und Einschaltexpansionsgeschwindigkeit, eine geringere Sperrverzögerungsladung und eine kurze Ausschaltzeit, eine hohe kritische Anstiegsrate des Durchlassstroms (di/dt) und eine kritische Rate von Anstieg der Sperrspannung (dv/dt).Der Nennstrom des schnellen Thyristors nimmt innerhalb der Nennfrequenz nicht oder nur geringfügig ab, wenn die Frequenz steigt.

Der Herstellungsstandard für Schnellschaltthyristoren und die Verarbeitungstechnologie von RUNAU Electronics wurden seit den 1980er Jahren in den USA eingeführt. Als Pionier der Herstellung von Thyristoren in China verfügte das technische Team von RUNAU über mehr als 30 Jahre lang über modernstes Wissen und umfassende Fertigungserfahrung.Auf der Grundlage des traditionellen Herstellungsprozesses haben die talentierten Techniker von RUNAU Electronics die hochmoderne Technologie zur Herstellung von Thyristoren mit Vorteilsmerkmalen europäischer Produkte entwickelt, die Qualität und Leistung erheblich verbessert und weitere große Erfolge bei Leistungselektronikanwendungen erzielt. und es wurde mehr Wert für die Partner geschaffen.

Einführung:

1. Chip

Der von RUNAU Electronics hergestellte Thyristorchip basiert auf der Sinterlegierungstechnologie.Der Silizium- und Molybdänwafer wurde zum Legieren mit reinem Aluminium (99,999 %) unter Hochvakuum und Hochtemperaturumgebung gesintert.Die Einstellung der Sintereigenschaften ist der Schlüsselfaktor für die Qualität eines Thyristors.Das Know-how von RUNAU Electronics verwaltet zusätzlich die Tiefe der Legierungsverbindung, die Ebenheit der Oberfläche, den Legierungshohlraum sowie die Fähigkeit zur vollständigen Diffusion, das Ring-Kreis-Muster und die spezielle Gate-Struktur.Außerdem wurde die spezielle Verarbeitung eingesetzt, um die Trägerlebensdauer des Geräts zu verkürzen, sodass die interne Trägerrekombinationsgeschwindigkeit erheblich beschleunigt, die Reverse-Recovery-Ladung des Geräts verringert und die Schaltgeschwindigkeit folglich verbessert wird.Solche Messungen wurden durchgeführt, um die Schnellschalteigenschaften, die Durchlasseigenschaften und die Stoßstromeigenschaften zu optimieren.Die Leistung und der Leitungsbetrieb des Thyristors sind zuverlässig und effizient.

2. Kapselung

Durch eine strenge Kontrolle der Ebenheit und Parallelität des Molybdänwafers und des externen Gehäuses werden der Chip und der Molybdänwafer fest und vollständig in das externe Gehäuse integriert.Dadurch wird die Widerstandsfähigkeit gegen Stoßströme und hohe Kurzschlussströme optimiert.Und die Messung der Elektronenverdampfungstechnologie wurde eingesetzt, um einen dicken Aluminiumfilm auf der Siliziumwaferoberfläche zu erzeugen, und die auf die Molybdänoberfläche plattierte Rutheniumschicht erhöht die thermische Ermüdungsbeständigkeit erheblich und die Lebensdauer von Schnellschaltthyristoren wird erheblich verlängert.

Technische Spezifikation

1. Schnellschaltthyristor mit Legierungschip, hergestellt von RUNAU Electronics, Reihe I_TAVvon 200A bis 4000A und V_DRM/V_RRMvon 1200V bis 4500V.
2. I_GT, V_GTund ich_Hsind die Testwerte bei 25℃, sofern nicht anders angegeben, alle anderen Parameter sind die Testwerte unter T_jm;
3. I²t=I²F SM×tw/2, tw= Basisbreite des sinusförmigen Halbwellenstroms.Bei 50Hz, ich²t=0,005I²FSM(A²S);
4. Bei 60 Hz: I_FSM(8,3 ms)=I_FSM(10 ms)×1,066,T_j=T_j;ICH²t(8,3ms)=I²t(10ms)×0,943,T_j=T_jm

Parameter: