Phasensteuerungsthyristor (frei schwebender Typ)

Beschreibung:

Mit der Entwicklung zunehmender Leistung und Kapazität von Umrichtergeräten, insbesondere der HGÜ-Übertragung, besteht der Bedarf, die Ausgangsleistungskapazität der Thyristoreinheit entsprechend zu erhöhen, wodurch die Installationsmenge von Thyristoren in Reihen- und Parallelschaltungsschaltungen verringert wird.Die Größe und das Gewicht des Geräts werden reduziert, geringere Investitionen, gleichmäßiger Strom und gleichmäßige Spannung werden einfach realisiert, der zuverlässige Betrieb und der kommerzielle Wert werden deutlich erhöht.

Die zur Herstellung von Hochleistungs-Hochstrom-Thyristoren eingesetzte Free-Floating-Silizium-Technologie wird den hohen Standardanforderungen der Anwendungen gerecht.Und im Juli 2019 hatte RUNAU Electronics erfolgreich einen 5200-V-Thyristor mit 5-Zoll-Chip entwickelt und an einen Kunden geliefert, der im chinesischen HGÜ-Projekt eingesetzt wurde.

Einführung:

1. Chip

Der von RUNAU Electronics hergestellte hochwertige Thyristorchip basiert auf der Free-Floating-Technologie.Es handelt sich um eine anerkannte neueste und ausgereifte Technologie zur Herstellung von Hochleistungs-Hochspannungsthyristoren.Es wird in großem Umfang von den meisten Weltklasseherstellern eingesetzt.

Der Diffusionsprozess wurde in Dichte und Breite optimiert, um den Spannungswiderstand zu erhöhen, den Spannungsabfall im eingeschalteten Zustand zu verringern und die Trigger- und Dynamikeigenschaften zu verbessern.Zur Verbesserung der di/dt- und dv/dt-Funktion wurde ein neues Fotolithografiemuster entwickelt.Die Kontaktstruktur des Chips wurde neu konstruiert, um die Kante des Siliziumwafers und die Kathodenoberfläche zu schützen. Die Sperrspannungsleistung wird erheblich verbessert.

2. Kapselung

Der Vorteil der Free-Floating-Silicium-Technologie besteht darin, dass die Verformung zwischen Silizium und Molybdän-Wafer stark eingeschränkt und der Molybdän-Wafer-Verbrauch reduziert wird.Während die Ebenheit des Siliziumwafers und des Kupferblocks des Gehäuses in hohem Maße erforderlich sind, sind auch die Anforderungen an Parallelität und Rauheit höher als bei der Legierungschiptechnologie.Durch die kontinuierliche Verbesserung und Innovation konnte RUNAU Electronic alle technischen Schwierigkeiten und Hindernisse überwinden.Der Hochleistungs-Hochspannungsthyristor mit Free-Floating-Technologie mit zuverlässiger Leistung und wirtschaftlich effizienter Lösung wurde entwickelt und den Kunden zur Verfügung gestellt.Die meisten davon sind im steuerbaren Hochleistungsgleichrichter, im Hochspannungs-Softstarter, in der HGÜ-Stromübertragung, im Lokomotivantrieb, in der dynamischen Blindleistungskompensation und im Impulsleistungsanwendungssystem installiert.

Technische Spezifikation

1. Phasengesteuerter Thyristor mit Legierungschip, hergestellt von RUNAU Electronics, Reihe I_TAVvon 350A bis 5580A und V_DRM/V_RRMvon 3400V bis 8500V.
2. I_GT, V_GTund ich_Hsind die Testwerte bei 25℃, sofern nicht anders angegeben, alle anderen Parameter sind die Testwerte unter T_jm;
3. I²t=I²F SM×tw/2, tw= Basisbreite des sinusförmigen Halbwellenstroms.Bei 50Hz, ich²t=0,005I²FSM(A²S);
4. Bei 60 Hz: I_FSM(8,3 ms)=I_FSM(10 ms)×1,066,T_j=T_j;ICH²t(8,3ms)=I²t(10ms)×0,943,T_j=T_jm

Parameter: