über uns
ElektronikHersteller
Jiangsu Yangjie Runau Semicondutor Co., Ltd. ist ein führender Hersteller von Leistungshalbleiterbauelementen in China.Runau hat sich in fast 30 Jahren das Fachwissen angeeignet, um die innovativsten Lösungen bereitzustellen, um die zuverlässige Leistung leistungselektronischer Geräte sicherzustellen.Im Januar 2021 steht Runau als Tochtergesellschaft von Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd, dem börsennotierten Unternehmen auf dem chinesischen Festland, vor einer großen Entwicklung der Fertigungskapazitäten für Hochleistungshalbleiteranwendungen.Wann immer es erforderlich ist, arbeiten unsere Techniker, Ingenieure, Produktionsteams und Vertriebsmitarbeiter eng mit unseren Kunden zusammen, um die hohe Qualität, Verfügbarkeit und energetische Leistung ihrer elektrischen Anlagen sicherzustellen.
PRODUKTE
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CHIP
Hoher Qualitätsstandard
Hervorragende Konsistenzparameter
Thyristorchip: 25,4 mm–99 mm
Gleichrichterchip: 17 mm–99 mm -
Thyristor
Phasensteuerungsthyristor
Nennleistung 100–5580 A, 100–8500 V
Schnellschaltthyristor
Nennleistung 100–5000 A, 100–5000 V -
Press-Pack IGBT (IEGT)
Hohe Leistungskapazität
Einfache Reihenschaltung
Guter Anti-Schock
Hervorragende thermische Leistung -
Kraftbaugruppe
Erregung durch rotierenden Gleichrichter
Hochspannungsstapel
Gleichrichterbrücke
AC-Schalter -
Gleichrichterdiode
Standarddiode
Schnelle Diode
Schweißdiode
Rotierende Diode -
Kühlkörper
Luftkühlung der SF-Serie
Wasserkühlung der SS-Serie -
Leistungsmodulserie
Internationales Standardpaket
Struktur komprimieren
Hervorragende Temperatureigenschaften
Einfache Installation und Wartung
Für Anfragen zu unseren Produkten oder unserer Preisliste hinterlassen Sie uns bitte Ihre E-Mail und wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden.
ANFRAGEMERKMALE PRODUKTE
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Thyristor-Chip
•Jeder Chip wird bei TJM getestet, Stichproben sind strengstens untersagt.
•Hervorragende Konsistenz der Chip-Parameter
•Geringer Spannungsabfall im eingeschalteten Zustand
•Starke thermische Ermüdungsbeständigkeit
•Die Dicke der Kathoden-Aluminiumschicht beträgt über 10 µm
•Doppelschichtiger Schutz auf der Mesa
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Hochwertiger Thyristor
• Anwendung eines höheren Produktionsstandards
• Extrem geringer Spannungsabfall im eingeschalteten Zustand
• Geeignet für Reihen- oder Parallelschaltkreise mit angepassten QRr- und VT-Werten
• Bessere Leistung als Allzweck-Phasenregelthyristor
• Speziell für Stromnetze und höhere Anforderungen entwickelt
• Die Produktqualität entspricht einem normalen militärischen Zweck
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Freischwebender Phasensteuerungsthyristor
• Free-floating-Silizium-Technologie
• Geringer Spannungsabfall im eingeschalteten Zustand und geringe Schaltverluste
• Optimale Belastbarkeit
• Verteiltes Verstärkungsgate
• Traktion und Übertragung
• HGÜ-Übertragung / SVC / Hochstrom-Stromversorgung
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Schnellschaltender Thyristor mit hohem Standard
• Neu gestaltete, vergrößerte Torstruktur
• Planarer Produktionsprozess
• Rutheniumbeschichtete Molybdänscheibe
• Geringe Schaltverluste
• Hohe di/dt-Leistung
• Geeignet für Wechselrichter, Gleichstrom-Chopper, USV und Impulsstromversorgung
• Speziell für Stromnetze und höhere Anforderungen entwickelt
• Die Produktqualität entspricht einem normalen militärischen Zweck
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GTO-Gate-Abschaltthyristor
Die GTO-Fertigungstechnologie wurde in den 1990er Jahren von UK Marconi in Runau eingeführt.Und die Teile wurden mit zuverlässiger Leistung an weltweite Anwender geliefert und vorgestellt in:
• Das positive oder negative Impulssignal löst das Ein- oder Ausschalten des Geräts aus.
• Wird hauptsächlich für Hochleistungsanwendungen jenseits des Megawatt-Niveaus verwendet.
• Hohe Spannungsfestigkeit, hoher Strom, starker Stoßwiderstand
• Wechselrichter des Elektrozuges
• Dynamische Blindleistungskompensation des Stromnetzes
• Hochleistungs-DC-Chopper-Geschwindigkeitsregelung
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Schweißdiode
• Hohe Durchlassstromfähigkeit
• Extrem geringer Vorwärtsspannungsabfall
• Extrem niedriger thermischer Widerstand
• Hohe Betriebssicherheit
• Geeignet für mittlere oder hohe Frequenzen
• Gleichrichter eines Inverter-Widerstandsschweißgeräts
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Hochwertiges Leistungsmodul
• Hochwertiger Modulkoffer internationaler Marken nach Herstellungsstandard
• Entwickelt für Benutzer mit höheren Leistungsanforderungen
• Elektrische Isolierung zwischen Chip und Grundplatte
• Internationales Standardpaket
• Struktur komprimieren
• Hervorragende Temperatureigenschaften und Leistungswechselfähigkeit
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Thyristor-Gleichrichter GTO für Elektrozüge
Die von Runau Electronics gelieferte Hochleistungsgleichrichterdiode und der Thyristor bilden die Brückengleichrichterschaltung, die eine reibungslose Spannungsregelung zwischen den Stufen realisieren kann.Sicher und zuverlässig.2200V 2800V 4400V
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Weicher Start
Geringerer Leitungsspannungsabfall, stärkere Überstromfähigkeit, höhere Stoß- und Spannungsfestigkeit mit der kosteneffizientesten Lösung: Runau-Thyristoren bieten die volle Zufriedenheit einer umfassenden Softstarter-Anwendung perfekt.
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Schweißgerät
Schweißdiode, auch Ultrahochstrom-FRD-Diode genannt, zeichnet sich durch hohe Stromdichte, sehr niedrige Durchlassspannung und sehr niedrigen Wärmewiderstand, niedrige Schwellenspannung, kleinen Steilheitswiderstand und hohe Sperrschichttemperatur aus.Runau-Schweißdioden IFAV reichen von 7100 A bis 18000 A und werden häufig in Widerstandsschweißgeräten mit Frequenzen von 1 kHz bis 5 kHz eingesetzt.
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Induktionsheizung
Phasengesteuerte Thyristoren und Schnellschaltthyristoren werden in einem Verfahren mit hohem Standard hergestellt. Der Chip zeichnet sich durch eine diffuse Struktur, ein optimiertes verteiltes Gate-Design, hervorragende dynamische Leistung, schnelle Schaltleistung, geringe Schaltverluste aus und eignet sich hervorragend für Induktionserwärmungsanwendungen.
