Thyristor-Chip
Thyristor-Chip
Der von RUNAU Electronics hergestellte Thyristorchip wurde ursprünglich mit einem GE-Verarbeitungsstandard und einer GE-Technologie eingeführt, die dem US-amerikanischen Anwendungsstandard entsprach und von weltweiten Kunden qualifiziert wurde.Es zeichnet sich durch starke thermische Ermüdungsbeständigkeit, lange Lebensdauer, hohe Spannung, große Ströme, starke Umweltanpassungsfähigkeit usw. aus. Im Jahr 2010 entwickelte RUNAU Electronics ein neues Muster von Thyristorchips, das die traditionellen Vorteile von GE und europäischer Technologie, die Leistung und kombiniert Effizienz wurden stark optimiert.
Parameter:
| Durchmesser mm | Dicke mm | Stromspannung V | Tordurchm. mm | Innendurchmesser der Kathode. mm | Kathodenausgangsdurchmesser. mm | Tjm ℃ |
| 25.4 | 1,5 ± 0,1 | ≤2000 | 2.5 | 5.6 | 20.3 | 125 |
| 25.4 | 1,6-1,8 | 2200-3500 | 2.6 | 5.6 | 15.9 | 125 |
| 29.72 | 2±0,1 | ≤2000 | 3.3 | 7.7 | 24.5 | 125 |
| 32 | 2±0,1 | ≤2000 | 3.3 | 7.7 | 26.1 | 125 |
| 35 | 2±0,1 | ≤2000 | 3.8 | 7.6 | 29.1 | 125 |
| 35 | 2.1-2.4 | 2200-4200 | 3.8 | 7.6 | 24.9 | 125 |
| 38.1 | 2±0,1 | ≤2000 | 3.3 | 7.7 | 32.8 | 125 |
| 40 | 2±0,1 | ≤2000 | 3.3 | 7.7 | 33.9 | 125 |
| 40 | 2.1-2.4 | 2200-4200 | 3.5 | 8.1 | 30.7 | 125 |
| 45 | 2,3 ± 0,1 | ≤2000 | 3.6 | 8.8 | 37.9 | 125 |
| 50.8 | 2,5 ± 0,1 | ≤2000 | 3.6 | 8.8 | 43.3 | 125 |
| 50.8 | 2,6-2,9 | 2200-4200 | 3.8 | 8.6 | 41,5 | 125 |
| 50.8 | 2,6-2,8 | 2600-3500 | 3.3 | 7 | 41,5 | 125 |
| 55 | 2,5 ± 0,1 | ≤2000 | 3.3 | 8.8 | 47.3 | 125 |
| 55 | 2,5-2,9 | ≤4200 | 3.8 | 8.6 | 45,7 | 125 |
| 60 | 2,6-3,0 | ≤4200 | 3.8 | 8.6 | 49,8 | 125 |
| 63,5 | 2.7-3.1 | ≤4200 | 3.8 | 8.6 | 53.4 | 125 |
| 70 | 3,0-3,4 | ≤4200 | 5.2 | 10.1 | 59.9 | 125 |
| 76 | 3.5-4.1 | ≤4800 | 5.2 | 10.1 | 65.1 | 125 |
| 89 | 4-4.4 | ≤4200 | 5.2 | 10.1 | 77,7 | 125 |
| 99 | 4,5-4,8 | ≤3500 | 5.2 | 10.1 | 87,7 | 125 |
Technische Spezifikation:
RUNAU Electronics bietet Leistungshalbleiterchips für phasengesteuerte Thyristoren und Schnellschaltthyristoren.
1. Niedriger Spannungsabfall im eingeschalteten Zustand
2. Die Dicke der Aluminiumschicht beträgt mehr als 10 Mikrometer
3. Doppelschichtige Schutztafel
Tipps:
1. Um eine bessere Leistung zu gewährleisten, muss der Chip unter Stickstoff- oder Vakuumbedingungen gelagert werden, um Spannungsänderungen durch Oxidation und Feuchtigkeit von Molybdänstücken zu verhindern
2. Halten Sie die Chipoberfläche immer sauber, tragen Sie bitte Handschuhe und berühren Sie den Chip nicht mit bloßen Händen
3. Gehen Sie bei der Verwendung vorsichtig vor.Beschädigen Sie nicht die Harzkantenoberfläche des Chips und die Aluminiumschicht im Polbereich von Gate und Kathode
4. Bitte beachten Sie beim Testen oder Einkapseln, dass die Parallelität, Ebenheit und Klemmkraft der Vorrichtung mit den angegebenen Standards übereinstimmen müssen.Eine schlechte Parallelität führt zu ungleichmäßigem Druck und zu Spanschäden durch Gewalteinwirkung.Wenn eine übermäßige Klemmkraft ausgeübt wird, kann der Chip leicht beschädigt werden.Wenn die ausgeübte Klemmkraft zu gering ist, beeinträchtigt der schlechte Kontakt und die Wärmeableitung die Anwendung.
5. Der Druckblock, der mit der Kathodenoberfläche des Chips in Kontakt steht, muss geglüht werden
Klemmkraft empfehlen
| Chipsgröße | Empfehlung zur Klemmkraft |
| (KN) ±10 % | |
| Φ25,4 | 4 |
| Φ30 oder Φ30,48 | 10 |
| Φ35 | 13 |
| Φ38 oder Φ40 | 15 |
| Φ50,8 | 24 |
| Φ55 | 26 |
| Φ60 | 28 |
| Φ63,5 | 30 |
| Φ70 | 32 |
| Φ76 | 35 |
| Φ85 | 45 |
| Φ99 | 65 |