Der quadratische Thyristorchip ist eine Art Thyristorchip und eine vierschichtige Halbleiterstruktur mit drei PN-Übergängen, einschließlich Gate, Kathode, Siliziumwafer und Anode.Die Kathode, der Siliziumwafer und die Anode sind alle flach und quadratisch.Auf einer Seite des Siliziumwafers ist eine Kathode angebracht, auf einer anderen Seite ist eine Anode angebracht, an der Kathode wird ein Bleiloch geöffnet und in dem Loch wird das Gate angeordnet.Die Gate-, Kathoden- und Anodenoberfläche sind mit Lotmaterial ausgekleidet.Zu den Hauptproduktionsprozessen gehören: Reinigung, Diffusion, Oxidation, Photolithographie, Korrosion, Passivierungsschutz, Metallisierung, Prüfung und Dicing von Siliziumwafern.
• ITAV=25A~200A,
• VRRM=1600V
• Dreieck-Ecktor: ITAV=25A~60A
• Rundes Mitteltor: ITAV=110A~200A
• Doppelte Mesa
• Die metallisierte Anode besteht aus mehrschichtigem Metall TiNiAg oder Al+TiNiAg
• Die metallisierte Kathodenschicht besteht aus Al oder TiNiAg
• Verteilte Aluminiumdiffusion, geringer Spannungsabfall im eingeschalteten Zustand, hohe Sperrspannung
• Doppelte negative Winkelform
• Passivierungsschutzmaterial: SIPOS+GLASS+LTO
• Geringe IL und breite Anwendung
• Dicke Aluminiumschicht und einfache Verklebung
• Hervorragende Triggerkonsistenz
No. | SGröße | SOberfläche Metall | Gate-Modus | Caktuell |
1 | 250 Mio | Mehrschichtig Metallisierung | Ecktor | 25A |
2 | 300 Mio | Ecktor | 45A | |
3 | 370 Mio | Ecktor | 60A | |
4 | 480 Mio | Mitteltor | 110A | |
5 | 590 Mio | Mitteltor | 160A | |
6 | 710 Mio | Mitteltor | 200A |
No. | SGröße | LLänge (Äh) | Breite (Äh) | TDicke (Äh) | Gaß Form | Gaß Größe (Äh) |
1 | 250 Mio | 7000 | 6300 | 410 | Dreieck | Innenseite: 1310 |
2 | 300 Mio | 7600 | 7600 | 410 | Dreieck | Innenseite: 6540 |
3 | 370 Mio | 9800 | 9800 | 410 | Dreieck | Innenseite: 1560 |
4 | 480 Mio | 12300 | 12300 | 410 | Runden | Innendurchmesser: 1960 |
5 | 590 Mio | 15200 | 15200 | 410 | Runden | Innendurchmesser: 2740 |
6 | 710 Mio | 17800 | 17800 | 410 | Runden | Innendurchmesser: 2740 |
No. | SGröße | VGT | IGT | IH | IL | VTM | IDRM/IRRM(25℃) | IDRM/IRRM(125℃) | VDRM/ VRRM |
V | mA | mA | mA | V | uA | mA | V | ||
1 | 250 Mio | 0,7~1,5 | 20~60 | 40~120 | 60~150 | 1.8 | 10 | 8 | 1600 |
2 | 300 Mio | 0,7~1,5 | 10~80 | 40~120 | 60~150 | 1.8 | 50 | 10 | 1600 |
3 | 370 Mio | 0,6~1,3 | 10~80 | 40~100 | 50~120 | 1.8 | 50 | 10 | 1600 |
4 | 480 Mio | 0,8~2,0 | 20~120 | 60~250 | 300 | 1.8 | 100 | 20 | 1600 |
5 | 590 Mio | 0,8~2,0 | 20~150 | 60~250 | 350 | 1.8 | 100 | 30 | 1600 |
6 | 710 Mio | 0,8~2,0 | 20~150 | 60~250 | 350 | 1.8 | 100 | 30 | 1600 |