PRODUKTIONSSTANDARD DER SCHWEISSDIODE DER ZW-SERIE

Kurze Beschreibung:

Diese Produktionsnorm gilt für Schweißdioden mit einem durchschnittlichen Nenndurchlassstrom von 7100 A bis 18000 A entsprechend der Gehäuseabmessung.


Produktdetail

Produkt Tags

Die normativen Referenzen, die Jiangsu Yangjie Runau Semiconductor Co. bei der Herstellung von Schweißdioden anwendete, waren folgende:

1. GB/T 4023 – 1997 Diskrete Halbleiterbauelemente und integrierte Schaltkreise Teil 2: Gleichrichterdioden

2. GB/T 4937 – 1995 Mechanische und klimatische Testmethoden für Halbleiterbauelemente

3. JB/T 2423 – 1999 Leistungshalbleiterbauelemente – Modellierungsmethode

4. JB/T 4277 – 1996 Verpackung von Leistungshalbleitergeräten

5. JB/T 7624 – 1994 Gleichrichterdioden-Testverfahren

Modell und Größe

1. Modellname: Das Modell der Schweißdiode bezieht sich auf die Vorschriften von JB/T 2423-1999, und die Bedeutung jedes Teils des Modells ist in Abbildung 1 unten dargestellt:

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2. Grafische Symbole und Terminal-(Unter-)Identifikation

Grafische Symbole und Anschlussidentifikation sind in Abbildung 2 dargestellt, der Pfeil zeigt auf den Kathodenanschluss.

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3. Form und Einbaumaße

Die Form der geschweißten Diode ist konvex und scheibenförmig, und die Form mit der Größe sollte den Anforderungen von Abbildung 3 und Tabelle 1 entsprechen.

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Artikel Abmessung (mm)
  ZW7100 ZW12000 ZW16000/ZW18000
Kathodenflansch (Dmax) 61 76 102
Kathoden- und Anoden-Mesa(D1) 44 ± 0,2 57 ± 0,2 68 ± 0,2
Maximaler Durchmesser des Keramikrings(D2max) 55,5 71,5 90
Gesamtdicke (A) 8±1 8±1 13±2
Montagepositionsloch Durchmesser des Lochs: φ3,5 ± 0,2 mm, Tiefe des Lochs: 1,5 ± 0,3 mm
Hinweis: Detaillierte Abmessungen und Größe bitte konsultieren

Bewertungen und Eigenschaften

1. Parameterebene

Die Reihe der umgekehrten wiederkehrenden Spitzenspannung (VRRM) ist in Tabelle 2 angegeben

Tabelle 2 Spannungspegel

VRRM(V) 200 400
Ebene 02 04

2. Grenzwerte

Die Grenzwerte müssen Tabelle 3 entsprechen und gelten für den gesamten Betriebstemperaturbereich.

Tabelle 3 Grenzwert

Grenzwert

Symbol

Einheit

Wert

ZW7100 ZW12000 ZW16000 ZW18000

Gehäusetemperatur

Tcase

-40~85

Äquivalente Sperrschichttemperatur (max.)

T(vj)

170

Lagertemperatur

Tstg

-40~170

Wiederkehrende Spitzensperrspannung (max.)

VRRM

V

200/400

200/400

200/400

200/400

Rückwärts nicht wiederkehrende Spitzenspannung (max

VRSM

V

300/450

300/450

300/450

300/450

Durchschnittlicher Vorwärtsstrom (max.)

IF(AV)

A

7100

12000

16000

18000

Vorwärtsstoßstrom (nicht wiederkehrend) (max.)

IFSM

A

55000

85000

120000

135000

I²t (max)

Ich nicht

kA²s

15100

36100

72000

91000

Montagekraft

F

kN

22~24

30~35

45~50

52~57

3. Charakteristische Werte

Tabelle 4 Maximale charakteristische Werte

Charakter und Zustand Symbol Einheit

Wert

ZW7100

ZW12000

ZW16000

ZW18000

VorwärtsspitzenspannungIFM=5000A, Tj=25℃ VFM V

1.1

1.08

1.06

1.05

Wiederkehrender Spitzenstrom umkehrenTj=25℃, Tj=170℃ IRRM mA

50

60

60

80

Wärmewiderstand Verbindung zum Gehäuse Rjc ℃/ W

0,01

0,006

0,004

0,004

Hinweis: Für besondere Anforderungen wenden Sie sich bitte an uns

DerSchweißdiodeHergestellt von Jiangsu Yangjie Runau Semiconductor, wird häufig in Widerstandsschweißgeräten sowie Mittel- und Hochfrequenzschweißgeräten bis zu 2000 Hz oder mehr eingesetzt.Mit einer extrem niedrigen Vorwärtsspitzenspannung, einem extrem niedrigen thermischen Widerstand, modernster Fertigungstechnologie, hervorragender Substitutionsfähigkeit und stabiler Leistung für globale Anwender ist die Schweißdiode von Jiangsu Yangjie Runau Semiconductor eines der zuverlässigsten Geräte der chinesischen Energiebranche Halbleiterprodukte.


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