Press-Pack IGBT
Press-Pack-IGBT (IEGT)
| TYP | VDRM V | VRRM V | IT(AV)@80℃ A | ITGQM@CS A / µF | ITSM@10ms kA | VTM V | VTO V | rT mΩ | TVJM ℃ | Rthjc ℃/W | |
| CSG07E1400 | 1400 | 100 | 250 | 700 | 2 | 4 | ≤2,2 | ≤1,20 | ≤0,50 | 125 | 0,075 |
| CSG07E1700 | 1700 | 16 | 240 | 700 | 1.5 | 4 | ≤2,5 | ≤1,20 | ≤0,50 | 125 | 0,075 |
| CSG15F2500 | 2500 | 17 | 570 | 1500 | 3 | 10 | ≤2,8 | ≤1,50 | ≤0,90 | 125 | 0,027 |
| CSG20H2500 | 2500 | 17 | 830 | 2000 | 6 | 16 | ≤2,8 | ≤1,66 | ≤0,57 | 125 | 0,017 |
| CSG25H2500 | 2500 | 16 | 867 | 2500 | 6 | 18 | ≤3,1 | ≤1,66 | ≤0,57 | 125 | 0,017 |
| CSG30J2500 | 2500 | 17 | 1350 | 3000 | 5 | 30 | ≤2,5 | ≤1,50 | ≤0,33 | 125 | 0,012 |
| CSG10F2500 | 2500 | 15 | 830 | 1000 | 2 | 12 | ≤2,5 | ≤1,66 | ≤0,57 | 125 | 0,017 |
| CSG06D4500 | 4500 | 17 | 210 | 600 | 1 | 3.1 | ≤4,0 | ≤1,90 | ≤0,50 | 125 | 0,05 |
| CSG10F4500 | 4500 | 16 | 320 | 1000 | 1 | 7 | ≤3,5 | 1.9 | ≤0,35 | 125 | 0,03 |
| CSG20H4500 | 4500 | 16 | 745 | 2000 | 2 | 16 | ≤3,2 | ≤1,8 | ≤0,85 | 125 | 0,017 |
| CSG30J4500 | 4500 | 16 | 870 | 3000 | 6 | 16 | ≤4,0 | ≤2,2 | ≤0,60 | 125 | 0,012 |
| CSG40L4500 | 4500 | 16 | 1180 | 4000 | 3 | 20 | ≤4,0 | ≤2,1 | ≤0,58 | 125 | 0,011 |
Notiz:D- mit dJodteil, A-ohne Diodenteil
Herkömmlicherweise wurden IGBT-Module mit Lötkontakt in Schaltanlagen flexibler Gleichstromübertragungssysteme eingesetzt.Das Modulpaket verfügt über eine einseitige Wärmeableitung.Die Leistungskapazität des Geräts ist begrenzt und eignet sich nicht für eine Reihenschaltung, schlechte Lebensdauer in Salzluft, schlechter Vibrationsschutz oder thermische Ermüdung.
Das neuartige IGBT-Gerät mit Presskontakt und Hochleistungs-Presspack löst nicht nur vollständig die Probleme der Leerstelle im Lötprozess, der thermischen Ermüdung des Lötmaterials und der geringen Effizienz der einseitigen Wärmeableitung, sondern eliminiert auch den Wärmewiderstand zwischen verschiedenen Komponenten. Minimieren Sie Größe und Gewicht.Und verbessern Sie die Arbeitseffizienz und Zuverlässigkeit des IGBT-Geräts erheblich.Es ist gut geeignet, die hohen Leistungs-, Hochspannungs- und Zuverlässigkeitsanforderungen des flexiblen Gleichstromübertragungssystems zu erfüllen.
Der Ersatz des Lötkontakttyps durch Press-Pack-IGBT ist zwingend erforderlich.
Seit 2010 arbeitet Runau Electronics an der Entwicklung eines neuartigen Press-Pack-IGBT-Geräts und der erfolgreichen Produktion im Jahr 2013. Die Leistung wurde durch eine nationale Qualifikation zertifiziert und die Spitzenleistung wurde abgeschlossen.
Jetzt können wir Serien-Presspack-IGBTs im IC-Bereich von 600 A bis 3000 A und im VCES-Bereich von 1700 V bis 6500 V herstellen und liefern.Die Aussicht auf einen in China hergestellten Press-Pack-IGBT für den Einsatz im flexiblen Gleichstromübertragungssystem Chinas wird mit großer Spannung erwartet und er wird nach dem elektrischen Hochgeschwindigkeitszug ein weiterer Weltklasse-Meilenstein der chinesischen Leistungselektronikindustrie werden.
Kurze Einführung in den typischen Modus:
1. Modus: Press-Pack IGBT CSG07E1700
●Elektrische Eigenschaften nach dem Verpacken und Pressen
● Rückwärtsparallelin Verbindung gebrachtschnelle Erholungsdiodeabgeschlossen
● Parameter:
Nennwert (25℃)
A.Kollektor-Emitter-Spannung: VGES=1700 (V)
B.Gate-Emitter-Spannung: VCES=±20（V）
C.Kollektorstrom: IC=800（A）ICP=1600（A）
D.Kollektorverlustleistung: PC=4440 (W)
e.Arbeitsübergangstemperatur: Tj=－20~125℃
F.Lagertemperatur: Tstg=－40~125℃
Hinweis: Das Gerät wird beschädigt, wenn es den Nennwert überschreitet
ElektrischCMerkmale, TC = 125 ℃, Rth (thermischer Widerstand vonKreuzung zuFall）nicht enthalten
A.Gate-Leckstrom: IGES=±5（μA）
B.Kollektor-Emitter-Sperrstrom ICES = 250 (mA)
C.Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: VCE(sat)=6(V)
D.Gate-Emitter-Schwellenspannung: VGE(th)=10(V)
e.Einschaltzeit: Ton=2,5μs
F.Ausschaltzeit: Toff=3μs
2. Modus: Press-Pack IGBT CSG10F2500
●Elektrische Eigenschaften nach dem Verpacken und Pressen
● Rückwärtsparallelin Verbindung gebrachtschnelle Erholungsdiodeabgeschlossen
● Parameter:
Nennwert (25℃)
A.Kollektor-Emitter-Spannung: VGES=2500 (V)
B.Gate-Emitter-Spannung: VCES=±20（V）
C.Kollektorstrom: IC=600（A）ICP=2000（A）
D.Kollektorverlustleistung: PC=4800 (W)
e.Arbeitsübergangstemperatur: Tj=－40~125℃
F.Lagertemperatur: Tstg=－40~125℃
Hinweis: Das Gerät wird beschädigt, wenn es den Nennwert überschreitet
ElektrischCMerkmale, TC = 125 ℃, Rth (thermischer Widerstand vonKreuzung zuFall）nicht enthalten
A.Gate-Leckstrom: IGES=±15（μA）
B.Kollektor-Emitter-Sperrstrom ICES = 25 (mA)
C.Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: VCE(sat)=3,2 (V)
D.Gate-Emitter-Schwellenspannung: VGE(th)=6,3(V)
e.Einschaltzeit: Ton=3,2μs
F.Ausschaltzeit: Toff=9,8μs
G.Diodendurchlassspannung: VF=3,2 V
H.Sperrverzögerungszeit der Diode: Trr=1,0 μs
3. Modus: Press-Pack IGBT CSG10F4500
●Elektrische Eigenschaften nach dem Verpacken und Pressen
● Rückwärtsparallelin Verbindung gebrachtschnelle Erholungsdiodeabgeschlossen
● Parameter:
Nennwert (25℃)
A.Kollektor-Emitter-Spannung: VGES=4500 (V)
B.Gate-Emitter-Spannung: VCES=±20（V）
C.Kollektorstrom: IC=600（A）ICP=2000（A）
D.Kollektorverlustleistung: PC=7700 (W)
e.Arbeitsübergangstemperatur: Tj=－40~125℃
F.Lagertemperatur: Tstg=－40~125℃
Hinweis: Das Gerät wird beschädigt, wenn es den Nennwert überschreitet
ElektrischCMerkmale, TC = 125 ℃, Rth (thermischer Widerstand vonKreuzung zuFall）nicht enthalten
A.Gate-Leckstrom: IGES=±15（μA）
B.Kollektor-Emitter-Sperrstrom ICES = 50 (mA)
C.Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: VCE(sat)=3,9 (V)
D.Gate-Emitter-Schwellenspannung: VGE(th)=5,2 (V)
e.Einschaltzeit: Ton=5,5μs
F.Ausschaltzeit: Toff=5,5μs
G.Diodendurchlassspannung: VF=3,8 V
H.Sperrverzögerungszeit der Diode: Trr=2,0 μs
Notiz:Der Vorteil des Press-Pack-IGBT liegt in der langfristig hohen mechanischen Zuverlässigkeit, der hohen Widerstandsfähigkeit gegen Beschädigungen und den Eigenschaften der Pressverbindungsstruktur. Außerdem lässt er sich bequem in Reihenschaltungen einsetzen. Im Vergleich zum herkömmlichen GTO-Thyristor handelt es sich beim IGBT um eine Spannungsantriebsmethode .Daher ist es einfach zu bedienen, sicher und verfügt über einen großen Betriebsbereich.