Merkmale:
•VollDiffusionsstruktur
• Zwei antiparallel geschaltete Thyristoren sind auf einem Siliziumchip integriert
• Verteiltes Gate-Design
• Geringer Verlust
Anwendungen:
• Hochspannungs-Sanftanlaufon-cAC-Schalter betätigen
• Blindleistungskompensation
• Industriekonverter
Parameter:
TYP | IT(AV) | TC | VDRM/VRRM | ITSM@TVJIM &10ms | I2t | VTM@ICHT&TJ=25℃ | Tjm | Rjc | Rcs | F | m | AUS LINIE | |
A | ℃ | V | A | A2s | V | A | ℃ | ℃/W | ℃/W | KN | Kg | ||
Spannung bis zu 1600V | |||||||||||||
300 | 65 | 500~1600 | 2500 | 2.7x104 | 1.65 | 500 | 125 | 0,065 | 0,015 | 15 | 0,08 | T2A | |
500 | 65 | 500~1600 | 4200 | 4.5x104 | 1.65 | 700 | 125 | 0,065 | 0,015 | 15 | 0,08 | T2A | |
1000 | 65 | 500~1600 | 8400 | 9x104 | 1,65 | 1000 | 125 | 0,025 | 0,015 | 18 | 0,26 | T5C | |
Spannung bis zu4500V | |||||||||||||
250 | 70 | 4000~4500 | 3000 | 45x103 | 2.30 | 500 | 125 | 0,080 | 0,045 | 10 | 0,33 | TS5D | |
460 | 70 | 4000~4500 | 5520 | 1,5x105 | 2.20 | 1000 | 125 | 0,045 | 0,008 | 22 | 0,6 | TS8D | |
KS800-** | 800 | 70 | 4000~4500 | 9600 | 4,6x105 | 1.65 | 1000 | 125 | 0,026 | 0,005 | 40 | 0,9 | TS10C |
KS1300-** | 1300 | 70 | 4000~4500 | 15600 | 1,2x106 | 1.65 | 1500 | 125 | 0,016 | 0,004 | 70 | 1,67 | TS15D |
Spannung bis zu6500V | |||||||||||||
175 | 70 | 5800~6500 | 2100 | 2,2x104 | 2,90 | 300 | 125 | 0,080 | 0,015 | 14 | 0,33 | TS5D | |
350 | 70 | 5800~6500 | 4200 | 8.8x104 | 3,50 | 1000 | 125 | 0,045 | 0,008 | 22 | 0,6 | TS8D | |
KS1060-** | 1060 | 70 | 5800~6500 | 12720 | 8.1x105 | 2,25 | 1500 | 125 | 0,016 | 0,004 | 70 | 1,67 | TS15D |
Spannung bis zu 8500V | |||||||||||||
KS135-** | 135 | 70 | 7400~8500 | 1620 | 1.3x104 | 2.2 | 300 | 115 | 0,08 | 0,015 | 10 | 0,33 | TS5D |