Bidirektionaler Thyristor (TRIAC)

Kurze Beschreibung:

Merkmale:

• Vollständige Diffusionsstruktur

• Zwei antiparallel geschaltete Thyristoren sind auf einem Siliziumchip integriert

• Verteiltes Gate-Design

• Geringer Verlust

Anwendungen:

• Hochspannungs-Sanftanlauf-Wechselstromschalter mit Kontakt

• Blindleistungskompensation

• Industriekonverter


Produktdetail

Produkt Tags

Merkmale:

VollDiffusionsstruktur

• Zwei antiparallel geschaltete Thyristoren sind auf einem Siliziumchip integriert

• Verteiltes Gate-Design

• Geringer Verlust

Anwendungen:

• Hochspannungs-Sanftanlaufon-cAC-Schalter betätigen

• Blindleistungskompensation

• Industriekonverter

Parameter:

TYP

IT(AV)

TC

VDRM/VRRM

ITSM@TVJIM &10ms

I2t

VTM@ICHT&TJ=25

Tjm

Rjc

Rcs

F

m

AUS

LINIE

A

V

A

A2s

V

A

/W

/W

KN

Kg

Spannung bis zu 1600V

BCT300-**

300

65

500~1600

2500

2.7x104

1.65

500

125

0,065

0,015

15

0,08

T2A

BCT500-**

500

65

500~1600

4200

4.5x104

1.65

700

125

0,065

0,015

15

0,08

T2A

BCT1000-**

1000

65

500~1600

8400

9x104

1,65

1000

125

0,025

0,015

18

0,26

T5C

Spannung bis zu4500V

KS250-**

250

70

4000~4500

3000

45x103

2.30

500

125

0,080

0,045

10

0,33

TS5D

KS460-**

460

70

4000~4500

5520

1,5x105

2.20

1000

125

0,045

0,008

22

0,6

TS8D

KS800-**

800

70

4000~4500

9600

4,6x105

1.65

1000

125

0,026

0,005

40

0,9

TS10C

KS1300-**

1300

70

4000~4500

15600

1,2x106

1.65

1500

125

0,016

0,004

70

1,67

TS15D

Spannung bis zu6500V

KS175-**

175

70

5800~6500

2100

2,2x104

2,90

300

125

0,080

0,015

14

0,33

TS5D

KS350-**

350

70

5800~6500

4200

8.8x104

3,50

1000

125

0,045

0,008

22

0,6

TS8D

KS1060-**

1060

70

5800~6500

12720

8.1x105

2,25

1500

125

0,016

0,004

70

1,67

TS15D

Spannung bis zu 8500V

KS135-**

135

70

7400~8500

1620

1.3x104

2.2

300

115

0,08

0,015

10

0,33

TS5D


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