Die normativen Referenzen, die Jiangsu Yangjie Runau Semiconductor Co. bei der Herstellung von Schweißdioden anwendete, waren folgende:
1. GB/T 4023 – 1997 Diskrete Halbleiterbauelemente und integrierte Schaltkreise Teil 2: Gleichrichterdioden
2. GB/T 4937 – 1995 Mechanische und klimatische Testmethoden für Halbleiterbauelemente
3. JB/T 2423 – 1999 Leistungshalbleiterbauelemente – Modellierungsmethode
4. JB/T 4277 – 1996 Verpackung von Leistungshalbleitergeräten
5. JB/T 7624 – 1994 Gleichrichterdioden-Testverfahren
Modell und Größe
1. Modellname: Das Modell der Schweißdiode bezieht sich auf die Vorschriften von JB/T 2423-1999, und die Bedeutung jedes Teils des Modells ist in Abbildung 1 unten dargestellt:
2. Grafische Symbole und Terminal-(Unter-)Identifikation
Grafische Symbole und Anschlussidentifikation sind in Abbildung 2 dargestellt, der Pfeil zeigt auf den Kathodenanschluss.
3. Form und Einbaumaße
Die Form der geschweißten Diode ist konvex und scheibenförmig, und die Form mit der Größe sollte den Anforderungen von Abbildung 3 und Tabelle 1 entsprechen.
| Artikel | Abmessung (mm) | ||
| ZW7100 | ZW12000 | ZW16000/ZW18000 | |
| Kathodenflansch (Dmax) | 61 | 76 | 102 |
| Kathode und Anode Mesa(D1) | 44 ± 0,2 | 57 ± 0,2 | 68 ± 0,2 |
| Maximaler Durchmesser des Keramikrings (D2max) | 55,5 | 71,5 | 90 |
| Gesamtdicke (A) | 8±1 | 8±1 | 13±2 |
| Montagepositionsloch | Durchmesser des Lochs: φ3,5 ± 0,2 mm, Tiefe des Lochs: 1,5 ± 0,3 mm | ||
Bewertungen und Eigenschaften
1. Parameterebene
Die Reihe der umgekehrten wiederkehrenden Spitzenspannung (VRRM) ist in Tabelle 2 angegeben
Tabelle 2 Spannungspegel
| VRRM(V) | 200 | 400 |
| Ebene | 02 | 04 |
2. Grenzwerte
Die Grenzwerte müssen Tabelle 3 entsprechen und gelten für den gesamten Betriebstemperaturbereich.
Tabelle 3 Grenzwert
| Grenzwert | Symbol | Einheit | Wert | |||
| ZW7100 | ZW12000 | ZW16000 | ZW18000 | |||
| Gehäusetemperatur | Tcase | ℃ | -40～85 | |||
| Äquivalente Sperrschichttemperatur (max.) | T(vj) | ℃ | 170 | |||
| Lagertemperatur | Tstg | ℃ | -40～170 | |||
| Wiederkehrende Spitzensperrspannung (max.) | VRRM | V | 200/400 | 200/400 | 200/400 | 200/400 |
| Rückwärts nicht wiederkehrende Spitzenspannung (max | VRSM | V | 300/450 | 300/450 | 300/450 | 300/450 |
| Durchschnittlicher Vorwärtsstrom (max.) | IF(AV) | A | 7100 | 12000 | 16000 | 18000 |
| Vorwärtsstoßstrom (nicht wiederkehrend) (max.) | IFSM | A | 55000 | 85000 | 120000 | 135000 |
| I²t (max) | Ich nicht | kA²s | 15100 | 36100 | 72000 | 91000 |
| Montagekraft | F | kN | 22～24 | 30～35 | 45~50 | 52～57 |
3. Charakteristische Werte
Tabelle 4 Maximale charakteristische Werte
| Charakter und Zustand | Symbol | Einheit | Wert | |||
| ZW7100 | ZW12000 | ZW16000 | ZW18000 | |||
| VorwärtsspitzenspannungIFM=5000A, Tj=25℃ | VFM | V | 1.1 | 1.08 | 1.06 | 1.05 |
| Rückwärts wiederkehrender SpitzenstromTj=25℃, Tj=170℃ | IRRM | mA | 50 | 60 | 60 | 80 |
| Wärmewiderstand Verbindung zum Gehäuse | Rjc | ℃/ W | 0,01 | 0,006 | 0,004 | 0,004 |
| Hinweis: Für besondere Anforderungen wenden Sie sich bitte an uns | ||||||
DerSchweißdiodeHergestellt von Jiangsu Yangjie Runau Semiconductor, wird häufig in Widerstandsschweißgeräten sowie Mittel- und Hochfrequenzschweißgeräten bis zu 2000 Hz oder mehr eingesetzt.Mit einer extrem niedrigen Vorwärtsspitzenspannung, einem extrem niedrigen thermischen Widerstand, modernster Fertigungstechnologie, hervorragender Substitutionsfähigkeit und stabiler Leistung für globale Anwender ist die Schweißdiode von Jiangsu Yangjie Runau Semiconductor eines der zuverlässigsten Geräte der chinesischen Energiebranche Halbleiterprodukte.
Zeitpunkt der Veröffentlichung: 14.06.2023