Hochfrequenz-Thyristor

Kurze Beschreibung:

Merkmale:

• Komplett diffuse Struktur

• Verteiltes Gate-Design

• Hervorragende dynamische Leistung

• Hervorragende Hochfrequenzleistung, 2,5 kHz–10 kHz

• Schnelle Schaltleistung

• Geringe Schaltverluste

 

Anwendungen:

• Wandler

• Häcksler

• Induktionsheizung

• Alle Arten von Zwangswandlern


Produktdetail

Produkt Tags

Hochfrequenz-Thyristor

Beschreibung:

1. IchGT, VGTund ichHsind die Testwerte bei 25, uSofern nicht anders angegeben, handelt es sich bei allen anderen Parametern um Prüfwerte unter Tjm;

2.I2t=I2FSM×tw/2, tw= Basisbreite des sinusförmigen Halbwellenstroms.Bei 50Hz, ich2t=0,005I2FSM(A2S);

3. Bei 60 Hz: IFSM(8,3 ms)=IFSM(10 ms)×1,066,Tj=Tj;I2t(8,3ms)=I2t(10ms)×0,943,Tj=Tjm.

Parameter:

TYP IT(AV)
A
TC
VDRM/VRRM
V
ITSM
@TVJIM&10ms
A
I2t
A2s
VTM
@IT&TJ=25℃
V/A
tq
μs
Tjm
Rjc
℃/W
Rcs
℃/W
F
KN
m
Kg
CODE
Spannung bis 1200V
KA200-** 200 55 800~1200 2800 3,9x104 3.20 640 15 125 0,060 0,010 10 0,08 T2A
KA500-** 500 55 800~1200 7500 2,8x105 3.20 1570 15 125 0,039 0,008 15 0,26 T5C
KA1000-** 1000 55 800~1200 15000 1,1x106 3.20 3000 15 125 0,022 0,005 25 0,46 T8C

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