Phasensteuerungsthyristor (Legierungstyp)

Beschreibung:

Thyristor, auch bekannt als Silicon Control Rectifier (SCR), ist ein Hochleistungshalbleiterbauelement, das aus drei PN-Strukturen besteht.In Bezug auf die Leistung verfügt der Thyristor nicht nur über eine unidirektionale Leitfähigkeit, sondern auch über eine wertvollere Steuerbarkeit als das Silizium-Gleichrichterelement, das nur zwei Leitungs- und Ausschaltzustände hat, um große Leistung mit kleiner Leistung zu steuern, Leistungsverstärkung bis zu Hunderten oder mehr Tausende Male.Die Reaktion ist sehr schnell und schaltet sich in Mikrosekunden ein und aus.Berührungsloser Betrieb, keine Funken, kein Lärm, bei gleichzeitig hohem Wirkungsgrad und niedrigen Kosten.Daher werden Thyristoren insbesondere in Hochleistungsversorgungssystemen häufig in Gleichrichterschaltungen, statischen Bypass-Schaltern, kontaktlosen Ausgangsschaltern und anderen Schaltungen eingesetzt.

Der Thyristor-Herstellungsstandard und die Verarbeitungstechnologie von RUNAU Electronics wurden seit den 1980er Jahren in den USA eingeführt. Als Pionier der Thyristor-Herstellung in China verfügte das technische Team von RUNAU über mehr als 30 Jahre über modernstes Wissen und umfassende Fertigungserfahrung.Auf der Grundlage des traditionellen Herstellungsverfahrens haben die talentierten Techniker von RUNAU Electronics die modernste Technologie zur Herstellung von Thyristoren mit Vorteilsmerkmalen europäischer Produkte entwickelt, die Qualität und Leistung erheblich verbessert und weitere große Erfolge bei der Anwendung der Leistungselektronik erzielt Felder und es wurde mehr Wert für die Partner geschaffen.

Einführung:

1. Chip

Der von RUNAU Electronics hergestellte Thyristorchip basiert auf der Sinterlegierungstechnologie.Der Silizium- und Molybdänwafer wurde zum Legieren mit reinem Aluminium (99,999 %) unter Hochvakuum und Hochtemperaturumgebung gesintert.Die Einstellung der Sintereigenschaften ist der Schlüsselfaktor für die Qualität eines Thyristors.Das Know-how von RUNAU Electronics wurde zusätzlich zur Verwaltung der Legierungsübergangstiefe, der Oberflächenebenheit, des Legierungshohlraums sowie der Fähigkeit zur vollständigen Diffusion, dem zentralen Gate und dem Ringkreismuster eingesetzt, um den zuverlässigen und hocheffizienten Leitungsbetrieb des Thyristors zu ermöglichen stellen Sie eine qualitativ hochwertige Leistung sicher.

2. Kapselung

Durch eine strenge Kontrolle der Ebenheit und Parallelität des Molybdänwafers und des externen Gehäuses werden der Chip und der Molybdänwafer fest und vollständig in das externe Gehäuse integriert.Dadurch wird die Widerstandsfähigkeit gegen Stoßströme und hohe Kurzschlussströme optimiert.Und die Messung der Elektronenverdampfungstechnologie wurde eingesetzt, um einen dicken Aluminiumfilm auf der Siliziumwaferoberfläche zu erzeugen, und die auf die Molybdänoberfläche plattierte Rutheniumschicht erhöht die thermische Ermüdungsbeständigkeit erheblich und die Lebensdauer des Thyristors wird erheblich verlängert.

Technische Spezifikation

1. Phasengesteuerter Thyristor mit Legierungschip, hergestellt von RUNAU Electronics, Reihe I_TAVvon 300A bis 6000A und V_DRM/V_RRMvon 800V bis 4400V.
2. I_GT, V_GTund ich_Hsind die Testwerte bei 25℃, sofern nicht anders angegeben, alle anderen Parameter sind die Testwerte unter T_jm;
3. I²t=I²F SM×tw/2, tw= Basisbreite des sinusförmigen Halbwellenstroms.Bei 50Hz, ich²t=0,005I²FSM(A²S);
4. Bei 60 Hz: I_FSM(8,3 ms)=I_FSM(10 ms)×1,066,T_j=T_j;ICH²t(8,3ms)=I²t(10ms)×0,943,T_j=T_jm

Parameter: