Kürzlich wurde in Runau die neuartige Designplattform für die Simulation von Leistungshalbleiterbauelementen eingerichtet.Mit Hilfe einer fortschrittlichen Simulationsplattform und kombinierten Tests und Analysen konnten die eingehenden Untersuchungen zur Gerätestruktur und der damit verbundenen Grundlagentheorie erfolgreich durchgeführt werden.Durch den Einsatz modernster Theorie und Forschungsplattform entwickelte und beherrschte das Unternehmen die Schlüsselverarbeitungstechnologie 5-Zoll-Thyristorchip, GTO und IGCT.Eine vollständige Prozessfähigkeit zur Herstellung von Thyristoren, Gleichrichterdioden, Schottky-Modulen, IGCT, IGBT, Hochspannungs- und Hochstrom-Thyristoren sowie der Aufbau der Pilottestplattform für ultraschnelle Freilaufdioden waren in Runau erfolgreich verfügbar.Wir sind auf dem Weg zu einem weiteren soliden Schritt zum Aufbau der Produktionsbasis für Leistungselektronikgeräte in China.